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ori = "1．一种基座，用来在外延生长装置内载置硅晶片，其特征在于， 在前述基座，设有载置前述硅晶片的凹形状的锪孔部， 前述基座的中心与前述锪孔部的开口缘之间的径向距离以90度周期在周向上变动，并且当将前述径向距离成为最小的位置的角度设为0度时，在90度、180度、270度的各自处前述径向距离成为最小，并且在45度、135度、225度、315度的各自处前述径向距离成为最大， 将前述基座俯视时的前述开口缘描绘使径向外侧为凸的4个椭圆弧。 2．一种基座，用来在外延生长装置内载置硅晶片，其特征在于， 在前述基座，设有载置前述硅晶片的凹形状的锪孔部， 前述锪孔部的开口缘侧的内周壁面的上端与下端的高度的差以90度周期在周向上变动，并且当将前述高度的差成为最大的位置的角度设为0度时，在90度、180度、270度的各自处，前述高度的差成为最大，并且在45度、135度、225度、315度的各自处，前述高度的差成为最小， 在前述基座的径向外侧投影图中，前述锪孔部的开口缘描绘使前述锪孔部的底面侧为凸的4个椭圆弧。 3．如权利要求1或2所述的基座，其特征在于， 将前述椭圆弧设置为，以硅晶片的<110>方位位于前述基座的前述0度的方向的方式载置硅晶片而在前述硅晶片的表面形成了外延层的外延硅晶片的遵循下述式［1］的边缘1mm的位置处的周向的前述外延层的膜厚分布的周向离差指标Δt成为0.75%以下： ［数式1］ 前述式［1］中，tMax为边缘1mm的位置处的周向的外延层的最大厚度，tMax为边缘1mm的位置处的周向的外延层的最小厚度，tAve为边缘1mm的位置处的周向的外延层的平均厚度。 4.一种基座，用来在外延生长装置内载置硅晶片，其特征在于， 在前述基座，设有载置前述硅晶片的凹形状的锪孔部， 前述基座的中心与前述锪孔部的开口缘之间的径向距离以90度周期在周向上变动，并且当将前述径向距离成为最小的位置的角度设为0度时，在90度、180度、270度的各自处前述径向距离成为最小，并且在45度、135度、225度、315度的各自处前述径向距离成为最大， 将前述基座俯视时的前述开口缘描绘使径向外侧为凸的4个第1椭圆弧， 前述锪孔部的开口缘侧的内周壁面的上端与下端的高度的差以90度周期在周向上变动，并且当将前述高度的差成为最大的位置的角度设为0度时，在90度、180度、270度的各自处前述高度的差成为最大，并且在45度、135度、225度、315度的各自处前述高度的差成为最小， 在前述基座的径向外侧投影图中，前述锪孔部的开口缘描绘使前述锪孔部的底面侧为凸的4个第2椭圆弧。 5．如权利要求4所述的基座，其特征在于， 将前述第1椭圆弧及前述第2椭圆弧设置为，以硅晶片的<110>方位位于前述基座的前述0度的方向的方式载置硅晶片而在前述硅晶片的表面形成了外延层的外延硅晶片的遵循下述式［1］的边缘1mm的位置处的周向的前述外延层的膜厚分布的周向离差指标Δt成为0.75%以下： ［数式2］ 前述式［1］中，tMax为边缘1mm的位置处的周向的外延层的最大厚度，tMax为边缘1mm的位置处的周向的外延层的最小厚度，tAve为边缘1mm的位置处的周向的外延层的平均厚度。 6.一种外延生长装置，其特征在于， 具备权利要求1～5中任一项所述的基座。 7．一种外延硅晶片的制造方法，其特征在于， 包括： 以硅晶片的<110>方位位于权利要求1、2、4中任一项所述的基座的前述0度的方向的方式载置该硅晶片的工序；以及 在前述硅晶片的表面形成外延层的工序。 8．一种外延硅晶片，在硅晶片的表面形成有外延层，其特征在于， 遵循下述式［1］的边缘1mm的位置处的周向的前述外延层的膜厚分布的周向离差指标Δt0为0.75%以下： ［数式3］ 前述式［1］中，tMax为边缘1mm的位置处的周向的外延层的最大厚度，tMax为边缘1mm的位置处的周向的外延层的最小厚度，tAve为边缘1mm的位置处的周向的外延层的平均厚度。"
l1 = re.split('\d+．(?!\d)', ori)
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